БНТИ
Бюро научно-технической информации
Чистота и порядок в кристалле для радиолокаторов
Устройства радиолокационных систем, работающие на сверхвысоких частотах, должны иметь небольшие размеры и вес, стабильно выдавать заданный уровень выходной мощности и не терять свои характеристики при повышенных температурах. Основной элемент СВЧ-устройств — транзистор с высокой подвижностью электронов. В последнее время для изготовления таких транзисторов используют кристаллы нитрида галлия (GaN). Применение этого полупроводникового соединения даёт возможность увеличивать мощность СВЧ-устройств при одновременном уменьшении числа транзисторов в каскадах, а значит, и габаритов изделия. Одновременно приборы стабильно работают при повышенных температурах и в условиях радиационного фона.
Однако при создании подобных транзисторов приходится сталкиваться с технологической проблемой, влияющей на их мощность: в ходе синтеза кристаллов нитрида галлия в его структуру встраивается кислород, что приводит к деградации электрофизических свойств материала. Дело в том, что нитрид-галлиевые транзисторы создаются на основе гетероструктур, содержащих несколько слоёв. Один из них (буферный) должен иметь высокое сопротивление. Однако внедрившиеся в его кристаллическую структуру атомы кислорода привносят электроны — носители заряда, из-за чего появляются токи утечки и уменьшается мощность транзистора.
Сотрудники Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) взялись за решение этой задачи.