Вести из институтов и экспедиций
Установка для выращивания полупроводников в космосе
К полупроводниковым материалам предъявляются повышенные требования. В частности, полупроводниковые гетероструктуры должны быть свободны от посторонних примесей, то есть быть высокочистыми, характеризоваться однородностью по площади и иметь резкие межслоевые границы. Подобные материалы востребованы в солнечной энергетике, больших интегральных схемах, лазерной и СВЧ технике. Получают их методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Атомарно-тонкие слои «укладываются» друг на друга в сверхвысоком вакууме так, чтобы кристалл полупроводника обладал нужными свойствами, например, улавливал или излучал свет в определённом диапазоне или выдерживал высокое электрическое напряжение, при котором у менее «выносливых» материалов происходит пробой.
Земные установки молекулярно-лучевой эпитаксии — крупногабаритные, дорогостоящие и сложны в производстве. Предельная глубина вакуума, достижимая в наземных технологических установках, 10−10 Тор. А для осаждения каждого отдельного химического элемента нужна собственная вакуумная камера, чтобы не загрязнять её другими соединениями. Однако для получения полупроводниковых устройств с высокой степенью чистоты подобного вакуума недостаточно. Требуемых параметров вакуума — 10−12 — 10−14 Тор и глубже — гораздо легче достичь в космосе. Кроме того, в космических условиях можно использовать одну камеру для осаждения всех элементов.