Рефераты
Он может работать быстрее
Хорошая память — это память с высокой плотностью записи, надёжно хранящая информацию, не требующая энергии для хранения, позволяющая быстро записывать и переписывать данные. А реализовать её можно по-разному. Вот, кстати, полупроводник Ge2Sb2Te5 — он бывает кристаллический и аморфный, с коэффициентом отражения 0,58 и 0,36 соответственно, а переводить его из одного состояния в другое можно нагревом лазером. Его используют как оптическую память, поскольку по отражению лазерного излучения от его поверхности можно узнать, в каком он состоянии, то есть — что записано, ноль или один. Причём изменения состояния, или фазы, обратимы, так что процесс записи/стирания можно повторять многократно. Поэтому Ge2Sb2Te5 применяют в перезаписываемых DVD (DVD-RW). Но с развитием технологий возникает вопрос: насколько быстро можно переключать этот материал из аморфного состояния в кристаллическое и обратно?
Сотрудники Института общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, МИЭТ, МГУ и НИЦ «Курчатовский институт» построили теоретическую модель нагрева плёнки этого полупроводника фемтосекундными короткими лазерными импульсами и провели эксперименты. Модель оказалась достаточно сложной, поскольку при таких коротких импульсах надо учитывать, что электроны отдают энергию решётке не мгновенно и «электронная температура» может отличаться от «решёточной».
В эксперименте плёнка Ge2Sb2Te5 имела толщину 0,2 мкм, лазер — длину волны 1,25 мкм (ближний инфракрасный диапазон), длина импульсов 1,35∙10–13 с (135 фемтосекунд), их энергия 10–5 Дж, а плотность мощности на плёнке 0,1 Дж/см2. При облучении такими импульсами аморфная плёнка может быть нагрета до 410 К для кристаллизации, то есть записи информации, а кристаллическая — выше 880 К для аморфизации, то есть для стирания. Время остывания, определяющее скорость переключения состояний, находится в диапазоне от 10–10 до 10–9 с в зависимости от режима импульсного облучения, то есть на 2—3 порядка меньше, чем при использовании для нагрева непрерывного излучения.